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加州大學發現二硫化鉬晶體管抗高溫特性
發布者：管理員 發布時間：2015-03-03 09:56:46 瀏覽次數：1870
需要抗高溫電子器件的應用數量不斷增長，渦輪機和井下傳感等應用都需要能在200℃以上溫度工作的電子器件。
加州大學河濱分校和倫斯勒理工學院的研究人員發現二硫化鉬薄膜晶體管可用于此類極端溫度應用場合。
加大河濱分校教授亞歷山大·巴蘭丁表示：‘研究表明二硫化鉬薄膜晶體管至少在220℃還能保持功能。在經過兩個月的老化之后，這種晶體管仍然能夠穩定工作。‘
利用標準光刻技術，巴蘭丁教授的研究團隊在硅襯底上構建出二硫化鉬晶體管。巴蘭丁教授指出：一些晶體管只有幾層，而其他晶體管則多至18層。薄膜越厚，晶體管的熱穩定性越強，在高溫下表現出更高的電子遷移率。
通過直流測量，研究人員研究了二硫化鉬晶體管在26℃～223℃之間的電流電壓特性或功能特性。他們發現晶體管的性能不同，但當溫度上升時仍然保持功能。
巴蘭丁表示：‘遷移率和門限電壓隨著溫度而降低。單層二硫化鉬的帶隙為1.9電子伏特，比硅和砷化鎵的要大，這對于高溫應用是有益的。‘(來源：慧聰網）
