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性 狀：
用 途：
檢驗報告：
灰色顆粒，無氣味
常溫呈銀灰色固體，具有閃鋅礦型的晶體結構，晶格常數為0.6058nm，密度為5.66g/cm(固態)、5.90g/cm(熔點時液態)。能帶結構為直接躍遷，禁帶寬度(300K)0.45eV。InAs相圖如圖所示。[1]
InAs在熔點(942℃)時砷的離解壓只有0.033MPa，可在常壓下由熔體生長單晶。常用的有HB和LEC方法，單晶直徑達φ50mm。
InAs是一種難于純化的半導體材料。非摻In．As單晶的剩余載流子濃度高于l×10/cm，室溫電子遷移率3.3×10cm/(V·s)，空穴遷移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系數接近1，故用作n型摻雜劑，以提高縱向載流子濃度分布的均勻性。工業用的InAs(s)單晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。
關鍵字：<砷化銦>、<納米材料>
用 途：
InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效應和小的電阻溫度系數，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的發射波長3.34μm，在InAs襯底上能生長晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纖通信用的激光器和探測器。
檢驗報告：
